真空鍍碳儀/中西器材 型號(hào):JE3-TZ-1000C

注明：桌面型蒸鍍碳層，減少因樣品鍍層對(duì)X射線能量譜儀做元素分析時(shí)的能量損失，可以選擇蒸發(fā)碳繩和蒸發(fā)碳棒兩種方式。
技術(shù)規(guī)格說明
樣品倉尺寸：φ150mmX110mm
蒸發(fā)面積：約Φ140mm
高真空度：≤4×10-2mbar
工作電壓：220V,50HZ
蒸發(fā)輸出：電壓30V
蒸發(fā)靶材：碳棒、碳繩
蒸發(fā)大電流：約100A
真空鍍碳儀/中西器材 型號(hào):JE3-TZ-1000C

理想膜層的特點(diǎn)
1.良好的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能。
2.不管樣品的表面形貌如何，覆蓋在所有部位的膜層需要薄厚均勻。
3.膜層對(duì)樣品的化學(xué)成分干擾很小，對(duì)從樣品中發(fā)射的X射線強(qiáng)度影響很弱。
4.這層膜主要增加樣品表面的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能，相較于導(dǎo)電金屬膜層的厚度普遍在10nm以上；可提供碳的鍍層，在3-4nm分辨率尺度內(nèi)不顯示其幾何形貌特點(diǎn)，避免引入不必要的人為圖像，鍍層精細(xì)均勻，適合非常粗糙的樣品，高分辨研究。
5.可以噴碳（碳棒或碳繩），有利于對(duì)樣品中非碳元素的能譜分析。
6.非導(dǎo)電樣品觀察背散射電子圖像，進(jìn)行EBSD分析，也應(yīng)該噴碳處理。
主要用于掃描電鏡 EDS 樣品鍍導(dǎo)電膜 ，儀器操作簡單方便，是配合SEM 制樣的儀器。